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那諾中國(guó)有限公司專(zhuān)注于為大中華區(qū)域（包括中國(guó)大陸、香港、澳門(mén)和中國(guó)臺(tái)灣）的高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)與生產(chǎn)等企業(yè)機(jī)構(gòu)提供高性能、高性?xún)r(jià)比、定制化的薄膜工藝加工設(shè)備及科學(xué)分析檢測(cè)儀器。那諾中國(guó)提供美國(guó)那諾-馬斯特薄膜工藝加工設(shè)備（包含磁控濺射、熱蒸鍍、電子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、離子束、DRIE、晶圓兆聲清洗機(jī)等）。那諾中國(guó)提供英國(guó)KORE基于飛行時(shí)間的質(zhì)譜儀，包含飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）、質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)（PTR）質(zhì)譜儀、電子轟擊電離（EI）質(zhì)譜儀等。
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半導(dǎo)體晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中一項(xiàng)關(guān)鍵的設(shè)備，主要用于將大尺寸的半導(dǎo)體晶圓切割成多個(gè)小芯片。隨著電子產(chǎn)品集成度的提升，對(duì)晶圓劃片技術(shù)的要求也在不斷提高。半導(dǎo)體晶圓劃片機(jī)的工作原理：1.晶圓固定：首先，將待切割的晶圓固定在工作臺(tái)上，確保在切割過(guò)程中不會(huì)發(fā)生位移。2.定位：利用視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)確定晶圓的位置和切割線(xiàn)的精確位置，通常采用高分辨率攝像頭和圖像處理算法。3.切割：機(jī)器開(kāi)始運(yùn)行，金剛石刀片沿著預(yù)定的切割路徑移動(dòng)，進(jìn)行劃片。切割過(guò)程中，通常會(huì)使用冷卻液，以減少切割產(chǎn)生的熱量...
2026-03-26ICP等離子刻蝕機(jī)是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微電子器件和納米技術(shù)領(lǐng)域的精密加工設(shè)備。它利用電磁感應(yīng)原理產(chǎn)生高能等離子體，能夠在多種材料（如硅、氮化鎵、金屬等）上進(jìn)行高精度的刻蝕。ICP等離子刻蝕機(jī)的主要組成部分：1.真空腔：提供低壓環(huán)境，以便更好地生成等離子體和提高刻蝕效率。2.電感線(xiàn)圈：用于產(chǎn)生高頻電磁場(chǎng)，激發(fā)氣體形成等離子體。通常安裝在真空腔頂部。3.基板臺(tái)：用于放置待刻蝕材料。基板臺(tái)可以加熱或冷卻，以調(diào)節(jié)樣品的溫度，從而影響刻蝕效果。4.氣體輸送系統(tǒng)：包括氣體瓶、流量...
2026-01-28在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓會(huì)經(jīng)歷多種工藝步驟，如氧化、光刻、刻蝕等。這些工藝過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生各種污染物，包括化學(xué)藥劑殘留、顆粒物、金屬離子等。如果不及時(shí)清洗，將會(huì)影響后續(xù)工藝的進(jìn)行，導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷、良率下降。因此，晶圓清洗是確保半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。晶圓清洗的基本要求：1.去污能力：清洗設(shè)備必須能夠有效去除晶圓表面的各種污染物。2.無(wú)損傷：在清洗過(guò)程中，不能對(duì)晶圓的表面造成任何損傷。3.均勻性：清洗效果應(yīng)在整個(gè)晶圓表面保持一致，避免出現(xiàn)局部污染。4.環(huán)保性：清洗過(guò)程應(yīng)盡量減少對(duì)環(huán)...
2025-12-26全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是一種高度集成的薄膜沉積設(shè)備，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)涂層、半導(dǎo)體制造以及表面處理等領(lǐng)域。磁控濺射技術(shù)作為一種常用的物理氣相沉積（PVD）方法，能夠精確控制薄膜的厚度、成分以及表面質(zhì)量。則通過(guò)自動(dòng)化控制、精密傳輸、實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)等技術(shù)手段，實(shí)現(xiàn)了高效、穩(wěn)定且高精度的薄膜沉積過(guò)程。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)的主要組成部分：1.真空室：真空室是磁控濺射系統(tǒng)的核心部分，其作用是為濺射過(guò)程提供低壓環(huán)境。通過(guò)泵系統(tǒng)將真空室抽真空，保證濺射過(guò)程中氣體的稀薄度，從而實(shí)現(xiàn)高效的...
2025-11-26全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)是一種利用自限性化學(xué)反應(yīng)，精確控制材料厚度并沉積超薄薄膜的技術(shù)。ALD技術(shù)以其在材料科學(xué)、微電子學(xué)和納米技術(shù)中的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，特別是在沉積均勻性、材料一致性、以及在復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)上的沉積能力，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、太陽(yáng)能電池、儲(chǔ)能器件等領(lǐng)域。全自動(dòng)原子層沉積系統(tǒng)的部分組成：1.反應(yīng)腔體：反應(yīng)腔體是ALD沉積過(guò)程的核心，通常采用不銹鋼或鋁合金材料制造，以承受高溫高壓，并保證反應(yīng)過(guò)程中的氣體流動(dòng)和反應(yīng)的充分進(jìn)行。腔體內(nèi)部設(shè)計(jì)有適配不同氣體引入的接口。2.氣體輸...
2025-10-29磁控濺射系統(tǒng)是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù)，特別是在半導(dǎo)體、光電、涂層及材料研究領(lǐng)域中。它的基本原理是利用高能粒子撞擊靶材，將靶材的原子或分子濺射出來(lái)，并在基板上形成薄膜。磁控濺射技術(shù)的獨(dú)特之處在于其利用磁場(chǎng)來(lái)增強(qiáng)等離子體密度，從而提高濺射效率。磁控濺射系統(tǒng)的具體工作過(guò)程：1.等離子體的產(chǎn)生：先通過(guò)高壓電源為氣體提供足夠的能量，使氣體分子被電離，形成等離子體。常用的氣體是氬氣（Ar）或氬氮混合氣。2.離子加速與濺射：電場(chǎng)加速等離子體中的離子，并將其導(dǎo)向靶材表面。當(dāng)這些高能離子...
2025-09-27推薦產(chǎn)品recommend
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